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本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究
【摘 要】
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本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐北京南路40-1号,830011
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2007年8期
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