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本文设计和制备了基于AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的高速电调控太赫兹调制器。器件主要由压控HEMT 单元阵列和金属性频率选择表面结构组成,HEMT 作为可调控元件其电导可通过施加栅压进行灵敏调控,频率选择表面结构形成的滤波器将决定调制器的工作频率范围。
基于GaN/AlGaN HEMT太赫兹调制器的研究
【摘 要】
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本文设计和制备了基于AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的高速电调控太赫兹调制器。器件主要由压控HEMT 单元阵列和金属性频率选择表面结构组成,HEMT 作为可调控元件其电导可通过施加栅压进行灵敏调控,频率选择表面结构形成的滤波器将决定调制器的工作频率范围。
【机 构】
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中科院纳米器件与应用重点实验室 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 江苏省苏州工业园区若水路3
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
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