基于异步光学机制的太赫兹光谱应用研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Rachellanye

【摘要】

：

太赫兹(THz,1THz = 1012Hz)辐射覆盖的频段为0.1 THz～10 THz,相应的波长为3 毫米到30微米,是毫米波与红外光之间频谱范围相当宽的电磁波谱区域.THz 波也被称为T-射线.从物理学看,THz 波介于毫米波与红外光之间,处于电子学向光子学的过渡区；从应用角度看,THz 波的频带宽、测量信噪比高,适合于通信、成像和光谱测量等领域.

【作者】

：

周涛黎华曹俊诚

【机构】

：

中国科学院太赫兹固态技术重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海市长宁路865 号8 号楼810 室,200050

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

异步扫描太赫兹光谱组氨酸共振吸收

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

BiFeO3/YBCO异质结构的输运特性

我们在(001)方向的SrTiO3 基片上制备了BiFeO3(BFO)/YBCO 异质结构.XRD 结果显示该异质结构只存在STO、BFO 和YBCO 的(00l)衍射峰，不存在其它杂相.通过TEM 截面对其进行选区电子束衍射，表明其界面没有非晶，界面形貌清晰说明没有发生元素扩散.

会议

YBCOBiFeO3输运机制

砷化镓纳米线中本征缺陷的电子性质以及p型掺杂的电子结构调控

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面赝势波方法，系统地研究了本征缺陷对闪锌矿和纤锌矿砷化镓纳米线电子结构的影响，并深入分析了p 型掺杂在砷化镓纳米线中的掺杂机制，理解了p 型掺杂效率低的原因，并且找到提高其p 型掺杂效率的方法。

会议

砷化镓纳米线电子结构本征缺陷p型掺杂

基于第一性原理的极性过渡金属硫化物中自旋轨道耦合效应的调控

石墨烯1 的发现激起了研究人员对二维材料的极大兴趣,而新型二维材料二硫化钼由于带隙可控受到广泛关注.过渡金属硫化物MXY(M=Mo,W；X≠Y=S,Se,Te)是类似二硫化钼结构的二维极性半导体2.基于密度泛函理论的第一性原理计算3,我们研究了单层WSeTe 中的Rashba 自旋轨道耦合效应4.

会议

极性过渡金属硫化物WSeTe自旋轨道耦合应力调控电场调控第一性原理

Dy在缺陷石墨烯表面吸附与插入机理

实验上发现金属在高温下会穿透石墨烯晶格，插入石墨烯与衬底之间，从而调控石墨烯的电子结构.大量的实验研究揭示了不同的渗透机制.目前大多数实验指出缺陷对金属插入石墨烯与衬底界面起到了很重要的作用.理论研究表明缺陷的存在确实会使得渗透容易1.利用第一性原理计算研究稀土金属Dy 在缺陷石墨烯表面吸附以及穿透石墨烯晶格的机理.

会议

吸附缺陷石墨烯插入能垒吸附能

Adsorption and intercalation behaviours of cobalt atoms on epitaxial graphene/6H-SiC(0001)

Graphene,a single sheet of carbon atoms bonded via sp2 hybridized orbitals,has been one of the most studied materials,both theoretically and experimentally.This enormous attention occurs due to its un

会议

Epitaxial graphemeIntercalationScanning tunneling microcopyDensity functional

化学剥离法制备二维氮化硼纳米薄片

六角氮化硼(hexagonal boron nitride,h-BN)是一种性能优异,极具发展潜力和应用前景的新型宽禁带半导体材料,具有高导热率、高熔点、低介电常数、优良的抗热冲击性、高电绝缘性及优异的化学稳定性等独特的物理和化学性质,此外,h-BN 具有不易吸附气体的特性,可用于高真空内壁涂层；很强的中子吸收能力,对几乎所有的熔融金属都呈化学惰性,因此可广泛应用于导热材料、航空航天材料、电工材料

会议

六角氮化硼化学剥离纳米薄片

雪崩倍增相干合成光电导THz辐射源研究进展

用光电导方法产生的太赫兹(THz)电磁波具有高频和超短脉冲(皮秒量级)特性,对 THz 时域光谱测试技术及应用产生了深远影响.所谓光电导方法产生 THz 波,就是利用超快半导体光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches,简称 PCSS)作为 THz 光电导天线(photoconductive antenna,简称 PCA),其光激发载流子在偏置电

会议

太赫兹波砷化镓雪崩倍增相干合成

Study on the leakage current limiting mechanisms and ferroelectric,piezoelectric properties of BiAlO

The BiAlO3 layer was deposited on La0.67Sr0.33MnO3/LaAlO3(111)by pulse laser deposition.Xray diffraction measurement indicates that the BiAlO3 thin film is tetragonal phase.Before BAO thin film can be

会议

tetragonal BiAlO3the leakage currentferroelectricityPFM

深入理解氢在氧化物薄膜晶体管的作用和机制

薄膜晶体管是一种典型的绝缘栅场效应晶体管，现在已经应用在人造皮肤、柔性显示、射频标签和人体传感等领域。现有的薄膜晶体管一直是以低成本为主要特征，而低的迁移率限制了柔性薄膜晶体管在更为高端层次上的应用。因此，实现低成本、高性能的薄膜晶体管，将会大大拓宽其应用领域。实施的方案主要有两种，一种是寻找性能更加优良的半导体材料体系，另一种是改进现有的半导体薄膜材料。传统的薄膜晶体管一直是以低成本为主要特征，

会议

利用太赫兹技术研究GaAs的光电特性

GaAs 材料由于其优越的光电特性，在光电领域被广泛应用，但是目前对其光电特性的检测方法比较复杂，常常需要制备接触电极，而使材料表面被破坏。本文利用太赫兹时域光谱技术【1】研究GaAs 样品在太赫兹波段的光电特性，这种探测技术是非接触式的无损探测。

会议

太赫兹波砷化镓光泵浦太赫兹探测载流子寿命

基于异步光学机制的太赫兹光谱应用研究

与本文相关的学术论文