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研究了自然退火、纵向磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带GMI效应的影响,分析了不同退火方式对样品GMI效应影响的原因.无磁场退火样品最大的磁阻抗比达192﹪.纵向磁场退火样品最大磁阻抗比高达363﹪.
纵向磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带GMI效应的影响
【摘 要】
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研究了自然退火、纵向磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带GMI效应的影响,分析了不同退火方式对样品GMI效应影响的原因.无磁场退火样品最大的磁阻抗比达192﹪.纵向磁场退火样品最大
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院(济南)
【出 处】
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第十一届全国磁学和磁性材料会议
【发表日期】
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2002年11期
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