电子设备承载车辆的抗电磁脉冲加固技术

来源 :第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q19891210626
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
强电磁脉冲能量会通过车体辐射、管线传导及孔缝耦合等多种方式传导到电子设备承载车辆内部,对承载的电子设备和电气设备产生干扰和毁伤.本文分析了电磁脉冲对电子设备承载车辆的耦合过程,针对具体应用情况开展了抗电磁脉冲加固技术研究,为电子设备抗EMP设计提供了理论基础和实践经验.
其他文献
根据2015年4月7日中国科学院文献情报中心公布的2015-2016年度中国科学引文数据库(Chinese Science Citation Database, CSCD)收录来源期刊目录(网址http://sciencechina.cn/c
单元粒子(PIC)数值模拟方法是一种以动态等离子体模型为基础的功能强大的数值计算方法.本文简要介绍了PIC单元粒子数值分析方法的基本原理和算法,开展了PIC方法在空间太阳阵
会议
介绍了截面偏倚减方差方法和Geant4基本结构功能;应用模拟计算了不同能量(1MeV、14MeV和反应堆中子源)中子在微波SiGe HBT器件中产生的的电离、非电离和声子能量沉积、粒子径
在解析几何里,设参数来解题是个常用的方法.因为引进适当的参数后,可以简化某些解题的过程,尤其在处理某些轨迹问题时更显出其优越性,但由于选择的参数不同,解法仍有繁简之别
蘇聯部長會議發出了關於蘇聯著名的科學家、卓越的旅行家、社會主義勞動英雄弗拉基米爾·阿法納謝維奇·奥勃魯契夫院士於1956年6月19日逝世的消息。在許多人的心坎裏,對這
为配合中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH瞬态辐照实验,开发了一套检测内部数据存储器(RAM)的汇编程序和记录分析结果的Labview程序。通过这套程序可以对MCU内
会议
分析了SiGe HBT器件中子辐照效应机理,运用MEDICI软件,对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究.计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数
本文简要介绍IEC有关高能电磁学方面的标准,包括有关HEMP的标准14部,关于HPEM的标准3部,其中2000年前发布的标准已在较早的的文章中作过介绍,为了完整性将其简单的列在本文中
過去一年內(1956年4月至1957年4月)本教研室發表了5篇文章,先後有教師二人(劉泰槰、劉次元)和研究生7人(徐湯苹、張人驥、張慧娥、胡美浩、鄭榮樑、李宏鈞、萬傳文)通過了論
本文介绍了地面设备电磁防护加固技术研究中,电磁防护加固后的屏蔽采光窗成功满足了透光等需求,并在低成本、高限制条件下达到了宽频段电磁防护技术指标要求.