【摘 要】
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我们用NH作气源的MBE法在Si(111)衬底上外延生长了高质量的AlN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,用高分辨率电子显微镜对AlN外延层进行了考察,发现我们获得的AlN是六方相,外延的取向关系为(0001)AlN/
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京大学物理系电镜中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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我们用NH<,3>作气源的MBE法在Si(111)衬底上外延生长了高质量的AlN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,用高分辨率电子显微镜对AlN外延层进行了考察,发现我们获得的AlN是六方相,外延的取向关系为(0001)AlN//(111)Si,(11-20)AlN//(110)Si,[10-10]AlN//[11-2]Si,.
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