重掺磷直拉硅片中缺陷的择优腐蚀

来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chinaoristand
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  研究了重掺磷硅单晶中微缺陷的择优腐蚀,指出由一份体积的CrO3水溶液(浓度为0.5mol/L)与一份体积的氢氟酸溶液组成的腐蚀液(Y1液)是一种合适的择优腐蚀液,它能够清晰地显示重掺磷硅单晶的空位型缺陷和间隙型缺陷(如位错和层错)。研究表明,Y1液可以用于快速简易地检测重掺磷硅单晶中的微缺陷。
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介绍了在原有多晶硅平坦技术之上,采用新工艺利用现有的外延、精密减薄工艺,增加了两道工艺流程设置,使得多晶硅平坦化后,多晶硅表面平整度提高,同时为后工艺加工提供了有利保障。
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提出了一种用于MEMS的硅基碳化硅微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相沉积方法制备碳化硅。首先在硅衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)以及它们的分布方式根据需要而定。此凹槽微结构用作制备碳化硅微通道的模版,然后用化学气相沉积方法在模版上制备一厚层碳化硅材料,此层碳化硅不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面,它
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探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大,其形变也相应变大,经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力,减小了SOI片的形变,埋氧层厚度偏厚的SOI片,其warp值仍然偏大,顶层硅均匀性更差。为控制SOI片形变和均匀性,保障硅膜的挖槽及光刻对位等后工序提供了坚实基础。
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采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法,研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明:原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时,位错尺寸很大,但位错密度较小;随着退火温度的升高,位错尺寸减小,但位错密度增大。两步退火温度下,随着退火温度的升高,硅片体内的缺陷密度增大。
本文研究了具有不同碳浓度的直拉硅片的空位型缺陷及其高温退火行为。研究发现,随着直拉单晶硅体内碳浓度的提高,硅片原生空位型缺陷密度降低,而且其高温热稳定性变差,碳的引入有利于抑制直拉单晶硅体内空位型缺陷的形成。
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