电沉积法制备FeS2薄膜

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研究了电化学沉积法制备太阳能电池薄膜材料。分别用三种阴极材料在不同的电化学沉积参数下沉积FeS2 薄膜,对实验参数进行了优化,得出电化学沉积FeS2 薄膜成分中Fe 和S 摩尔数比接近1:2 的最佳工艺条件,并给出改善FeS2薄膜的途径,为生产高效低成本的FeS2 太阳能电池奠定了基础。
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本文简述了薄膜电池的优势、非晶硅太阳电池的特点、比较了不同的制造技术、通过比较阐述了平行基片制造技术是降低生产成本的有效手段之一。
为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM)系统地研究表面形貌的演化。通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d 的关系:δ~dβ,动力学标度因子β与生长机制相关。结果表明在沉积气压为5pa 时,对于玻璃衬底β=0.5。而对于Si(100)衬底分成两个生长阶段,在薄膜形成早期(d<10nm)β
本文介绍一个测量两结叠层电池中的子电池(顶电池,底电池)的I-V 特性的新方法。这个测量方法是由美国Toledo大学物理系的Dr. Xunming Deng 提出来的。测量的样品是a-Si/a-GeSi 两结叠层电池。本方法的特点是,同时采用两束不同波长的光照射电池,测量叠层电池在不同光照条件下的的开路电压Voc,短路电流Isc,和I-V曲线,通过计算,可以获得特定光照条件下叠层电池中的顶电池或底
本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅(a-Si:H)电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜(TEM)分析表明,这种P层是复相结构材料,由尺寸3-5nm 的纳米晶粒镶嵌于非晶硅网络中构成。光学透视测量表明,由于量子尺寸效应,纳米硅P层具有宽的能带隙(1.96 eV)。利用这种P 层,n-i-p a-Si:H太阳能电池的性能得到改善,其Voc达到1.042V, 而利用微晶硅
用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2 隔离层,制备成SOI衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN 结制备太阳电池。电池电极采用四周型和叉指型两种类型全部由正面引出。理论分析计算了两种电极引出的电池的串联电阻;并给出了实际电池的I-V 测试结果,比较了光谱响应的结果。表明叉指型电极引出方式制备的电池性能比四周型的略好。
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本实验采用N+离子注入ZnO 薄膜,ZnO 薄膜用直流反应磁控溅射法制备。经快速热处理(RTP)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR 分光光度计等比较了N+离子注入后ZnO 薄膜的电阻率,导电类型,表面形貌,可见光透过率等的变化。
本文针对所研制GaInP/(In)GaAs/Ge 三结叠层太阳电池光电流较低的问题,分别对底电池、中电池和顶电池进行了理论分析与设计。Ge 底电池窗口层设计的改进、(In)GaAs 中电池适合含量In 的引入、GaInP 顶电池n/p 结构设计改进,以及宽禁带隧穿结材料的选用,使得电池短路电流密度Jsc 显著提高,达到16.5~17.5mA/cm2,GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电
本文在光照的条件下,运用少子的连续方程并结合了空穴-电子表面复合速度和薄膜材料的厚度推导出光电效率的表达式。同时,本文还给出少子浓度随着少子的扩散系数D、扩散长度L、空间电荷区的宽度W 和材料的习惯系数α的变化曲线。这一理论的正确性可由此所得的表达式推导出G.rtner 表达式。