Crystallographic orientation dependence of piezoelectric and dielectric properties of BNT-based nano

来源 :第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zzmaazhu
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  To attain a deep understanding of piezoelectric and dielectric properties dependence of crystallographic orientation,the rhombohedral 0.90(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.10(Bi0.5K0.5)TiO3(abbreviated as BNT-BKT)single-crystal films with three typical orientations of(100),(110),(111)were processed by sol-gel/spin-coating method,respectively.
其他文献
采用传统固相反应法制备了在室温下具有巨介电和低损耗性能的(Bi0.5Nb0.5)xTi1-xO2 陶瓷.(Bi0.5Nb0.5)xTi1-xO2(x=0.5%,1%,2.5%,5%)陶瓷形成了连续固溶体,结构呈金红石相.陶瓷的介电常数与平均晶粒尺寸均随掺杂量x 的增加而增大.
采用热压烧结法制备获得(K0.5Na0.5)NbO3 无铅压电陶瓷.获得的陶瓷结构致密,具有纯正交铁电相,平均晶粒尺寸约为120 纳米.室温下,陶瓷具有较高的介电常数(er=850)和较低的损耗(tand=0.02),陶瓷的电阻率R > 1011 W×cm,压电常数d33=120 pC/N,剩余极化强度Pr=17.3 μC/cm2(测试电压为100 kV/cm),矫顽场Ec=16 kV/cm(测试
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本文采用固相合成法制备了Pr 掺杂(Ba0.99Ca0.01)(Ti0.98Zr0.02)O3(简称BCZT)的陶瓷,分别进行了A 位(BCZT-A),B 位(BCZT-B)掺杂以及外掺(BCZT-W),研究了不同方式掺杂对BCZT 无铅压电陶瓷结构、压电性能和发光特性的影响.
本文采用传统的固相反应法制备了Ba2Si2VO8 微波介质陶瓷,但在制备过程中获得了一种多相的复合陶瓷,此复合陶瓷的相对体密度、品质因数、相对介电常数、以及谐振频率温度系数呈现随温度升高而先升后降的变化趋势,此变化趋势可能与气孔率、晶粒大小以及各物相的相对含量等有关。
随着科学技术日新月异的发展,通信信息量的迅猛增加,作为现代通信技术中关键基础材料的微波介质陶瓷,要求相对介电常数εr 高以便于器件小型化,品质因数Q×f 值高以保证优良的选频特性,器件的谐振频率温度系数τf 尽可能小保证器件的热稳定性。
在众多铁电体中,CaBi4Ti4O15 作为典型的四层铋层状结构材料,具有居里温度(TC = 790 ℃)高,老化率低等优点,因而被大量研究。通过稀土离子取代CaBi4Ti4O15 中的A 位Ca/Bi 离子,能够诱导出优良的荧光性质,从而发展出具有良好的温度稳定性兼铁/压电及荧光性能的新型铋层材料。
铁酸铋(BiFeO3)作为罕见的单相室温多铁性材料,同时表现出830 ℃的居里温度和370 ℃的奈尔温度,其独特的物理性质赋予了它在功能器件方面的潜在应用。然而纯BiFeO3 的制备困难、漏电流大以及G-型反铁磁结构等限制其多功能应用。
近几年,在诸多BiFeO3 基无铅压电陶瓷材料中,BiFeO3-BaTiO3 陶瓷被广泛研究。然而其电阻率较低,使得BiFeO3-BaTiO3 陶瓷的铁电性和压电性相对较弱。最近,当少量掺杂MnO2 后,BiFeO3-BaTiO3 的介电损耗和漏电流大幅度减小。
本研究采用传统固相法成功地合成了0.94(Bi0.984Er0.016Na)0.5TiO3–0.06BaTiO3 无铅压电陶瓷,系统研究了烧结温度Ts、烧结时间ts 和极化电压对该陶瓷样品的铁电/压电及荧光性能的影响.