【摘 要】
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在低压MOCVD条件下,采用等离子体协助方法进行ZnS和ZnS;Mn外延层生长.在普通玻璃衬底上,150℃生长的ZnS外延层由X光衍射谱表明有较强的(111)衍射峰,随生长温度提高至350℃,位于(111)的ZnS衍射峰值半高宽(△2θ)变窄(0.21°),表明获得较高的ZnS外延层质量.由于采用等离子体协助分解,使TCM由原来热分解温度500℃下降至350℃即可完成ZnS;Mn外延层生长,并在室
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理开放研究实验室(长春)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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在低压MOCVD条件下,采用等离子体协助方法进行ZnS和ZnS;Mn外延层生长.在普通玻璃衬底上,150℃生长的ZnS外延层由X光衍射谱表明有较强的(111)衍射峰,随生长温度提高至350℃,位于(111)的ZnS衍射峰值半高宽(△2θ)变窄(0.21°),表明获得较高的ZnS外延层质量.由于采用等离子体协助分解,使TCM由原来热分解温度500℃下降至350℃即可完成ZnS;Mn外延层生长,并在室温下观测到起因于Mn中心,发光峰值位于596nm的电致发光.
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