硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究

来源 :上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kaixinlfy
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本文对硅单晶材料到抛光片的关键加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序进行了分析,并对相应的工艺化学品进行研究和应用.研究表明工艺过程中适当增强化学作用可以降低机械损伤、减少机械和热应力导致的缺陷,提高硅片质量和成品率,尤其是清洗工艺中特性吸附的研究大大提高了清洗表面质量,并降低了清洗成本.
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磁场拉晶技术对直拉单晶来说,已显得越来越重要.本文阐述磁场拉晶技术的基本原理,对几种不同拉晶磁场类型的特点进行了分析,同时介绍了国内磁场设备的制造状况.
目前,硅材料行业欣欣向荣,生产企业在满负荷生产的同时,纷纷计划购买设备、开发新产品、提高质量、扩大产量.本文分析了国内外硅材料企业生产动态和市场份额情况,以提示硅片生产企业在适应市场需求不断增长的同时,要防范未来市场下滑所带来的风险.
本文通过ANSYS软件,利用有限元数值模拟方法,在轴向温度梯度为25℃/cm和提拉速率为1.2mm/h的条件下,对提拉法生长PbMoO晶体过程中,晶体旋转速率改变对固液界面形状的影响作了研究.模拟结果表明,随着晶体旋转速率的增加,固液界面经历了由凸到平再到凹的变化过程,这与实际晶体生长过程中所观察到的结果相一致,同时也印证了界面翻转理论.
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,在较低的反应气体压力下在SiC陶瓷衬底上成功生长出纳米金刚石薄膜.用拉曼光谱对纳米金刚石薄膜结构进行了分析,用光学显微镜对薄膜表面形貌进行了观察,用台阶仪对薄膜表面粗糙度进行了测量.结果表明,当反应气压下降至0.5~1kPa时,薄膜晶粒大大减小,薄膜表面粗糙度降低至40nm.
p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题,一直困扰着光伏科学界.本文从能带结构工程角度,利用纳米非晶硅的带隙与材料成分和结构的关系,首次设计出了p-i-n各层,并使其p、i、n各层按顺序能带渐变,从而提高了整个太阳电池的光电转换效率和开路电压并降低了光衰减.
本文介绍了用定向凝固法制备Pb(MgNb)O-PbTiO定向陶瓷的工艺,并对其择优取向及介电、压电性能进行了研究.结果表明,Pb(MgNb)O PbTiO的晶粒择优取向与原料组分和坩埚下降速度密切相关.[110]方向的Pb(MgNb)O-0.3PbTiO定向陶瓷表现出最优的介电、压电性能.
本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同一晶片(111)A和(111)B面上的腐蚀坑并无对应关系,即大部分腐蚀坑所对应的不是穿越(111)面的位错线,而且,腐蚀坑的深度也仅局限于10微米以内.这些结果表明,腐蚀坑密度不能简单地表征材料的位错密度.
本文利用Cd1-xZnxTe晶体乌尔巴赫带尾吸收区内吸收系数α.=10cm及α=20cm对应的能量与组分的经验关系,测试了Cd1-xZnxTe晶体的Zn组分.实验结果表明:由红外透射光谱法获得的Zn组计算出的晶格常数与高分辨光射线衍射测得的晶格常数相比,偏差小于0.3﹪,因此,可将红外透射光谱法作为测量任意方向的Cd1-xZnxTe晶体组分及晶格常数的常规方法.
本文对九十年代以来半导体锗材料的供求关系进行了概述,介绍了锗在光纤、催化剂、红外线、半导体及医药保健及领域新应用的进展状况,同时分析了锗的供求趋势,指出了锗材料生产、应用中存在的问题.
本文首先对Si注入在SIMOX的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.接头号,对纳米硅在绝缘埋层中的俘获电子的行为机理进行分析讨论;最后,对利用纳米硅提高SIMOX材料的绝缘埋层的制备的MOSFET的辐射特性进行了报道.