【摘 要】
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本文利用脉冲激光单粒子效应模拟试验装置对三星公司的SRAM K6R4016V1D进行了单粒子闩锁效应试验研究。试验测得了此器件的单粒子闩锁效应脉冲激光能量阈值、闩锁截面曲线和闩锁电流。针对这款器件，还对工程中防护闩锁过流常用的限流和断电方法进行了试验研究。试验结果表明，该器件具有非常低的单粒子闩锁效应阈值能量和很高的闩锁饱和截面，对空间辐射环境极其敏感。
【机 构】
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Center for Space Science and Applied Research, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;Gr
【出 处】
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第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会
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本文利用脉冲激光单粒子效应模拟试验装置对三星公司的SRAM K6R4016V1D进行了单粒子闩锁效应试验研究。试验测得了此器件的单粒子闩锁效应脉冲激光能量阈值、闩锁截面曲线和闩锁电流。针对这款器件，还对工程中防护闩锁过流常用的限流和断电方法进行了试验研究。试验结果表明，该器件具有非常低的单粒子闩锁效应阈值能量和很高的闩锁饱和截面，对空间辐射环境极其敏感。
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