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相变存储器(Phase Change Memory,PCM)由于其高密度、低漏电功耗、抗辐射、非易失性、可扩展性等优势受到学术界和工业界的广泛关注,但是它面临着寿命有限、电阻漂移等可靠性问题。提高相变存储器的寿命和缓解电阻漂移对于其实用化十分重要。本文介绍了相变存储器的故障模型,延长其寿命的四类主要方法以及电阻漂移缓解方法。