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利用磁控溅射法制备底层Mo-TiO2薄膜，用反应离子束刻蚀方法在底层上成功刻蚀了深度不同的沟道，再用磁控溅射法制备顶层TiO2薄膜，形成具有沟道的双层TiO2薄膜结构。可见光下的光生电流测试表明，随着沟道深度增加，光电流急剧增大。当刻蚀深度达到660 nm左右时，与未刻蚀的双层样品比较，植入沟道层阵列的TiO2薄膜可将光电流密度提升19倍，约为纯TiO2薄膜的56倍。