【摘 要】
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暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影响。在不同As元素分子态条件下单层AlGaAs的
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京,100190中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
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暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影响。在不同As元素分子态条件下单层AlGaAs的光致发光谱的测量发现,Ad模式下生长的AlGaAs材料具有更强的荧光强度,然而器件暗电流水平偏高。上述结果表明,As4模式下生长的AlGaAs材料具有较高的深能级缺陷密度,对器件的产生-复合电流有较强的影响。
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