【摘 要】
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本文研究的目的：基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响，会出现阈值电压为负值，不能满足器件驱动的要求，由此生产的氧化物器件会出现电流无法关断或低电压下器件开启的技术问题；因此本文通过相应界面处理方法以改进TFT 器件性能。
【机 构】
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上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072
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本文研究的目的：基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响，会出现阈值电压为负值，不能满足器件驱动的要求，由此生产的氧化物器件会出现电流无法关断或低电压下器件开启的技术问题；因此本文通过相应界面处理方法以改进TFT 器件性能。
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