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研制了计算机程序控制的电晕极化系统，系统由586计算机、加热设备、高压电源、 计算机程序控制硬件设备和软件等组成，实现了电晕极化实验自动化。此实验系统使用方便、灵活、稳定，是极化聚合物材料、光波导和调制器件研究中关键工艺设备，可大大提高工作效率、可靠性、重复性和实验的精度。
计算机程序控制电晕极化系统
【摘 要】
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研制了计算机程序控制的电晕极化系统，系统由586计算机、加热设备、高压电源、 计算机程序控制硬件设备和软件等组成，实现了电晕极化实验自动化。此实验系统使用方便、灵活、稳定，是极化聚合物材料、光波导和调制器件研究中关键工艺设备，可大大提高工作效率、可靠性、重复性和实验的精度。
【机 构】
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国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所(北京) 国土资源部岩矿测试技术研究所(北京)
【出 处】
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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2000年12期
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分析了以光电二极管、DFB激光器、DBR激光器的等效电路的特点，由于其平面工艺，使得以这些基本器件组成的OEIC、PIC及与之配合的电路系统，与大规模集成电路网络具有类似的特点，等效电路以并联支路的混联形式为主，其计算机辅助分析技术应该采用类似的方法，即采用改进节点法对其是适当的，能够简化CAA对复杂网络建立方程的过程和减少运算量。
该文介绍了在GaAsMMIC中TaN薄膜电阻制备技术，给出了制作薄膜电阻的基本工艺条件及方块电阻值的控制方法，对薄膜厚度的均匀性，薄膜厚度、应力与氮流量的关系，以及方块阻值与氮气流量的关系进行了实验与分析。在直径为3英寸的GaAs园形衬底上，电阻均匀性可控制在±1℅以内，通过控制氮气流量可以很方便的获得20～50O／sq．的TaN薄膜电阻。文中并对TaN薄膜电阻制作后的热退火、热稳定性及相关的工艺
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叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f和最高振荡频率f分别为12GHz和24GHz。
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介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定GeSi/Si化学 梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm，外微分量子效率为55℅～78℅，中心发射波长为(808±3)nm。