【摘 要】
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采用纳米ZrO(3Y)粉、纳米MgO粉和纳米AlO粉为原料,在1100℃和1200℃温度下进行常压烧结2h.实验结果表明,掺少量的纳米MgO和AlO,烧结体的烧结致密度比仅掺杂纳米MgO的致密度有所提高,电导率也有所改善.探讨了复合掺杂纳米MgO和纳米AlO对ZrO(3Y)烧结体的致密度和电导率的影响.
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采用纳米ZrO<,2>(3Y)粉、纳米MgO粉和纳米Al<,2>O<,3>粉为原料,在1100℃和1200℃温度下进行常压烧结2h.实验结果表明,掺少量的纳米MgO和Al<,2>O<,3>,烧结体的烧结致密度比仅掺杂纳米MgO的致密度有所提高,电导率也有所改善.探讨了复合掺杂纳米MgO和纳米Al<,2>O<,3>对ZrO<,2>(3Y)烧结体的致密度和电导率的影响.
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