【摘 要】
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本文采用共沉淀法合成ZnO压敏陶瓷粉料,分别以Nn4HCO3和NaOH作为沉淀剂,研究了不同沉淀剂对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响。通过分析得到,NH4HC3作沉淀剂时无杂质离子残存,得到的ZnO压敏陶瓷电性能相对较好。而以NaOH作为沉淀剂时残留的Na+部分以填隙离子的方式存在。影响氧空位和锌填隙的缺陷浓度,降低载流子的迁移率,阻止晶粒的长大,因此增大了电位梯度(820 V/mm)。但电
【机 构】
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
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本文采用共沉淀法合成ZnO压敏陶瓷粉料,分别以Nn4HCO3和NaOH作为沉淀剂,研究了不同沉淀剂对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响。通过分析得到,NH4HC3作沉淀剂时无杂质离子残存,得到的ZnO压敏陶瓷电性能相对较好。而以NaOH作为沉淀剂时残留的Na+部分以填隙离子的方式存在。影响氧空位和锌填隙的缺陷浓度,降低载流子的迁移率,阻止晶粒的长大,因此增大了电位梯度(820 V/mm)。但电性能相对较差。在共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时,沉淀剂的选择很重要,即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的改变,所以应该尽可能的避免引入含有杂质离子的物质。
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