【摘 要】
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文章报道了一种采用马赫曾德(MZI)结构的3mm长单驱动推挽式高速硅基电光调制器.优化PN结掺杂浓度和位置后,实现MZI调制臂相移所需的驱动电压为4.5V,对应的V L为1.35V·cm.对调制器进行高速伪随机码调制测试,获得了32Gbps开关键控(OOK)眼图,消光比为7dB,信噪比为5.87dB;获得了15Gbps的二进制相移键控(BPSK)眼图,信噪比为10dB.
【机 构】
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上海交通大学“区域光纤通信网与新型光通信系统”国家重点实验室 华为技术有限公司传送技术研究部
【出 处】
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2014光纤光缆及光器件产品技术研讨会
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文章报道了一种采用马赫曾德(MZI)结构的3mm长单驱动推挽式高速硅基电光调制器.优化PN结掺杂浓度和位置后,实现MZI调制臂相移所需的驱动电压为4.5V,对应的V L为1.35V·cm.对调制器进行高速伪随机码调制测试,获得了32Gbps开关键控(OOK)眼图,消光比为7dB,信噪比为5.87dB;获得了15Gbps的二进制相移键控(BPSK)眼图,信噪比为10dB.
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