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作为一种新兴的负极材料,氮化钒(VN)由于其较高的比容量、优异的导电性和合适的负电位窗口而引起广泛关注[1].Kumta 等人利用VCl4 作为钒源,通过氨气还原法合成了氮化钒纳米晶,在电流密度为当扫描速率为2 m V s-1 时,比电容可以达到1340 F g-1[2].