元胞尺寸对内透明集电极IGBT温度特性的影响

来源 :中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:abc0454
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内透明集电区(Internal Transparent Collector,简称ITC)绝缘栅双极晶体管是新一类IGBT,它在传统PT-IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)层,只要该层内载流子寿命足够低,则LCLC层对其以下衬底内的空穴具有“屏蔽”作用,从而使集电区范围变窄、集电区电子有效扩散长度减小,可使器件集电区由非透明变成内透明。本论文针对600V 平面栅ITC-IGBT的温度特性进行仿真研究,重点讨论元胞宽度对器件温度性能的影响。结果显示对所仿真的器件结构,若在温度性能和关断损耗之间获得良好折衷,半元胞尺寸选取17μm、18μm或20μm、21μm比较合适。
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