高灵敏巨磁阻抗小型磁传感器的研制

来源 :宁波市第九届学术大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunku
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利用单辊快淬法制备了CoFeNiSiB非晶薄带,经过400A/mm2电流密度、20ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能.以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±0.05mT弱磁场范围内灵敏度可达到44.15V/mT,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力.
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