论文部分内容阅读
本文采用磁控反应溅射,制备了系列Eu掺杂的AlN膜.随着功率的增加和N2比例的减少,AlN:Eu膜从非晶向沿c轴定向生长晶态变化,结晶度及生长速度逐渐增加,氧杂质的含量逐渐降低.膜中结晶颗粒的大小及表面粗糙度随着功率的增加逐渐增加.光致发光谱中的发光峰由5D1,0向低的能级7FJ(J=0～4)跃迁所致.最强的发光峰位置在约619nm,为红色,归属于5D0→7F2的跃迁。