用Si2H6-Ge分子束外延技术生长p-SiGe沟道的反常调制掺杂结构

来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cynthializzu

【摘要】

：

采用气态SiH源和固态Ge源的国产分子束外延(MBE)系统生长了一个p-SiGe反常调制掺杂结构,变温Hall测量得出在室温下(290K)载流子(孔穴)的迁移率为113cm/Vs;在低温下(61K)载流子(孔穴)的迁移率为5876cm/Vs.对影响载流子(孔穴)的迁移率的因素进行了讨论.

【作者】

：

高斐黄大定李建平刘超孔梅影曾一平李晋闽林兰英

【机构】

：

中国科学院半导体研究所材料中心

【出处】

：

第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

【发表日期】

：

2001年6期

【关键词】

：

反常调制掺杂结构分子束外延迁移率 p-SiGe沟道

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

采用气态Si<,2>H<,6>源和固态Ge源的国产分子束外延(MBE)系统生长了一个p-SiGe反常调制掺杂结构,变温Hall测量得出在室温下(290K)载流子(孔穴)的迁移率为113cm<2>/Vs;在低温下(61K)载流子(孔穴)的迁移率为5876cm<2>/Vs.对影响载流子(孔穴)的迁移率的因素进行了讨论.

其他文献

会议

会议

会议

本文详细的分析了集成电路版图设计中最常用的图形数据描述语言文件格式之一:GDSⅡ文件格式.由于GDSⅡ文件是二进制格式,无法用文本编辑器来看,可读性差,本文试图通过实例分析的方法解读GDSⅡ格式文件,以得到对GDSⅡ格式深入的了解.

会议

图形数据格式GDSⅡ集成电路版图设计GDSⅡ文件格式

微光刻苦技术数据处理及数据转换体系

本文重点介绍微光刻技术图形数据处理及数据转换体系.包括微光刻技术需要处理的图形数据类型,常用的图形数据处理及图形编辑软件,特殊图形数据处理技术,常用的图形数据格式及数据格式转换技术.

会议

微光刻光掩模数据处理格式转换

一种用于TLF文件自动生成的EDA工具的开发

在利用Cadence公司的EDA工具进行基于高层次逻辑综合的自顶向下的集成电路设计时,描述标准逻辑单元时序参数的TLF文件是必不可少的.本文介绍了基于UNIX编程环境进行的一种用于TLF文件自动生成的EDA工具的开发过程.

会议

集成电路计算机辅助设计EDA工具

SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究

为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研究.实验表明采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火,有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度.同时该技术用于SiGe PMOS研制,其300K常温和77K低温下跨导分别达到45ms/mm和92.5ms/mm.(W/L=20μm/2μm).

会议

SiO2栅介质薄膜SiGeSiGe MOS器件化学汽相淀积低温制备技术制备工艺

SiGe/Si材料特性表征技术

本文对表征SiGe/Si异质结材料特性的测量技术X-ray双晶衍射、反射高能电子衍射、Hall测量、二次离子质谱测量等进行了较为全面的介绍,为更好地了解、掌握和评价SiGe/Si材料特性提供一定帮助.

会议

SiGe材料材料特性表征技术

MOS器件综合系统及其在器件分析中的应用

本文详细讨论了MOS器件综合系统的设计原理,即利用遗传算法作为核心的搜索算法,定义器件设计变量为遗传染色体,由多代的遗传操作得到综合结果.并利用本系统的综合结果分析了一个FIBMOS器件的参数对性能的影响.

会议

遗传算法设计变量MOS器件综合系统设计原理

CMOS单元版图生成中的晶体管布局算法

本文提出了一个基于模拟退火技术的CMOS标准(库)单元版图生成中的单元内晶体管布局算法,在满足高度约束的前提出同时优化单元版图的面积和时延,可处理不局限于静态串并联结构的电路,考虑大尺寸管子折叠等因素,最终生成二维样式标准单元版图.

会议

单元版图生成晶体管布局模拟退火集成电路

用Si2H6-Ge分子束外延技术生长p-SiGe沟道的反常调制掺杂结构

与本文相关的学术论文