【摘 要】
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用液相沉积法通过在氟钛酸铵和氟硅酸铵的混合溶液中加入硼酸溶液的方法,在低温(35℃)沉积出具有高光催化活性的TiO/SiO复合薄膜.用ICP-AES测定TiO/SiO复合薄膜中Si/Ti原子比,用BET法测定了薄膜上粉体的比表面积,用XRD、FTIR三点全反射光谱法等对TiO/SiO复合薄膜进行了表征,并用亚甲蓝的降解,评价了TiO/SiO复合薄膜的光催化活性.结果表明,当TiO/SiO复合氧化薄
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用液相沉积法通过在氟钛酸铵和氟硅酸铵的混合溶液中加入硼酸溶液的方法,在低温(35℃)沉积出具有高光催化活性的TiO<,2>/SiO<,2>复合薄膜.用ICP-AES测定TiO<,2>/SiO<,2>复合薄膜中Si/Ti原子比,用BET法测定了薄膜上粉体的比表面积,用XRD、FTIR三点全反射光谱法等对TiO<,2>/SiO<,2>复合薄膜进行了表征,并用亚甲蓝的降解,评价了TiO<,2>/SiO<,2>复合薄膜的光催化活性.结果表明,当TiO<,2>/SiO<,2>复合氧化薄膜上的Si/Ti原子比为0.46﹪时,薄膜的光催化活性达到最大值,它是在35℃下沉积TiO<,2>薄膜光催化活性的3倍,是经300℃热处理TiO<,2>薄膜光催化活性的0.76倍.
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本文对新型高效率复合结构太阳电池进行了理论设计.首先设计了该电池的能带结构:在其MIp-AlGaAs结构的Ⅰ层表面引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖,使其将p-AlGaAs层的空穴吸引到表面,使得该表面的能带向上弯曲,构成阻止电子向表面运动的感应势垒.由此,将感应结MIp-AlGaAs与p-n-n-GaAs级联构成一个新的整体电池.由连续性方程和电流方程组与相应的边界条件,以及能带结构模型,对方程组
本文对MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池,在各区域都存在恒定漂移场以及能带结构模型下,对其光电流和光谱响应在理论上进行了严格的数学处理,得到了该电池光电流依赖于太阳电池表面、界面复合速度、各区存在的漂移场、少子扩散长度以及掺杂浓度等半导体参数和各区几何结构参数的解析表达式.从本文得到的新结构的光电流理论表达式可以得到背表面场电池、发射结等四种结构太阳电池的正确表达式.因此,本研究结
系统研究了TiVCr合金中的Cr被Mn部分替代后对合金相结构与储氢性能的影响.XRD分析表明,所有TiVCrMn(x=0,0.15,0.25,0.35,0.45)合金均为b.c.c.结构的单一固溶体相,而晶胞常数有所不同.储氢性能测试结果表明,添加Mn元素会降低合金的活化性能;随着Mn含量的增加,合金的放氢压力平台变得平坦,且平台氢压逐渐降低;含Mn合金的室温最大吸氢量基本相同,而100℃有效放氢
太阳电池在光照工作状态下,两极间有一个正向偏压V加在结上,这时在电池内产生光电流I的同时,将产生一个与之方向相反的"暗电流I(V)",则输出到负载上的电流I为I=I—I(V).因此,在一定工作电压下,欲获得最高的转换效率,则首先应获得尽可能高的光电流和尽可能低的暗电流是非常重要的.本文在各区均存在恒定电场及给定的能带模型下,对所设计的新结构MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池的暗电流
Fourier红外透射(FTIR)谱技术和透射-反射光谱实验是研究氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜中氢含量和光学带隙等微结构最有效的手段.样品用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法制备,通过合理的基线把FTIR透过率谱转换成吸收谱,得到薄膜的氢含量及组态信息,并分析其与衬低温度、氢稀释比以及光学带隙的对应关系.
在3.0MPa氢气气氛下机械合金化Mg-60wt﹪LaNi制备出复合储氢材料,XRD分析表明球磨60h后的物相为MgNiH,β-MgH和LaH,制备出的MgNiH相具有正方晶系的结构;对材料的热力学和动力学特性研究表明:该复合材料具有较高的活性,室温下15分钟内的吸氢量为2.37﹪;在5.0MPa氢气压力和373K~473K之间的条件下,可以在1min之内完成饱和吸氢量的80﹪以上,在5.0MPa
论文研究了蔗渣在管式炉中的热解特性.热解液体产物经一系列的冷凝器和冰水浴收集,残留固体单独收集,气体则以排水法收集.研究结果发现:工艺条件对产物得率有显著的影响,蔗渣的最佳热解液化温度为500℃,随着温度的升高,液体产物中含碳量逐渐降低.热解液体产物的结构和组成通过傅里叶红外光谱、气相色谱质谱进行检测表明:热解液化产物中主要含有羟基、羧基及羰基等官能团,而且不同温度下各种基团的含量有很大变化.
本文利用水解法制备了不同铈、锆含量的载体,浸渍法制备催化剂.用固定床微反装置评价了四种不同15﹪Ni/CeZrO催化剂上丙烷部分氧化制氢的活性.实验中丙烷在300℃开始反应,催化剂的载体效应主要体现在300~450℃,在评价结果中550℃、O/CH=2.0最适于丙烷部分氧化制氢,同时催化剂15﹪Ni/CeZrO上丙烷部分氧化制氢的活性最高.在实验中用程序升温还原和X射线衍射技术对催化剂进行表征.
以SiCl和H为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3A/s以上.本文研究沉积速率与工艺条件的依赖关系和对薄膜结晶度的影响.
以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜.用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大.用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球形的纳米尺寸的颗粒构聚而成.我们认为,具有晶相结构的纳米晶粒在空间等离子体区形成,然后扩散到衬底,而Cl元素在低温晶化过程中起了很重要的作用.