【摘 要】
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文章提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法.通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083
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文章提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法.通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模场分布,同时结合选择性的载流子注入来增强基模的激射优势,进而减少侧模的数量.实验上制作了主脊条宽度为6 μ m,光子晶体周期5 μ m,波长1550nm的半导体激光器.测试结果表明：在连续工作的情况下,电流300mA的时候,高阶侧模受到抑制,水平发散角变为10.2°.
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