【摘 要】
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利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器件8 GHz最大连续波输出功率达到20 W,增益7 dB,附加效率达到42％,实现国产SiC衬底上的GaN HEMT器件。
【机 构】
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专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 2500
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器件8 GHz最大连续波输出功率达到20 W,增益7 dB,附加效率达到42％,实现国产SiC衬底上的GaN HEMT器件。
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