论文部分内容阅读
一种新的全方位反射镜(ODR)的高亮度AlGaInP发光二极管制作方法。该反射镜由介质膜DBR和高反射率的金属组成，反射效率比传统的金属反射镜和DBR高，制作成本比透明基板低。首先利用MOCVD在GaAs衬底上生长AlGaInP LED材料，接着将全方位反射镜蒸镀在LED外延片上，利用金属键舍将LED外延片和Si基板键合在一起，然后用机械研磨和湿法腐蚀的方式去除吸光的CaAs衬底，最后制作欧姆接触焊盘和出光界面的粗化。该方法制作的峰值波长为630nm芯片(350μm×350μm)20mA电流下发光效率达80lm/W，正向电压小于2V。