【摘 要】
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分析了表面状态影响二次电子能谱的机制,通过引入等效表面势垒的方法考虑了这一影响的综合效果.结合内二次电子的产生和出射过程,提出了一种综合考虑表面状态影响的二次电子能谱模型,该模型通过表面势垒来描述表面状态对二次电子能谱的综合影响.针对3种不同表面状态的材料,对比分析了模型的计算结果和实验结果,发现吻合的很好.本文提出的简单模型可以描述表面状态影响二次电子能谱的综合效果.
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049 西安交通大学电子物理与器件教育
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
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分析了表面状态影响二次电子能谱的机制,通过引入等效表面势垒的方法考虑了这一影响的综合效果.结合内二次电子的产生和出射过程,提出了一种综合考虑表面状态影响的二次电子能谱模型,该模型通过表面势垒来描述表面状态对二次电子能谱的综合影响.针对3种不同表面状态的材料,对比分析了模型的计算结果和实验结果,发现吻合的很好.本文提出的简单模型可以描述表面状态影响二次电子能谱的综合效果.
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