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该文介绍一种GaAs 6位DAC，时钟频率能够达到500MHz，采用全耗尽型GaAs MESFET制作，平面凹槽工艺，最小线宽Lum，输入与ECL电子兼容，输出能驱动50c载设计采用了倒“T”型权电流结构，片上集成电流源阵列，最大静态功耗900mW。
GaAs 6位DA
【摘 要】
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该文介绍一种GaAs 6位DAC，时钟频率能够达到500MHz，采用全耗尽型GaAs MESFET制作，平面凹槽工艺，最小线宽Lum，输入与ECL电子兼容，输出能驱动50c载设计采用了倒“T”型权电流结构，片上
【机 构】
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集成电路国家级重点实验室,电子工业部第十三研究所(石家庄)
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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