InPBi合金中电子浓度非线性变化的第一性原理研究

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:laniya82
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  InPBi是最近才被成功制备的新稀铋材料,其光学、电学性质有待进一步研究。利用霍尔测量,实验发现InPBi合金的电子浓度随铋组分的增加先降低而后升高。利用第一性原理计算,我们探讨了InPBi合金中电子浓度非线性变化的可能机制。
其他文献
会议
  The mechanism of high temperature superconductivity in cuprate is a long-standing mystery.While the iron-based superconductors provide another perspective,t
  The generation of a spin current is vital for spintronics and spin caloritronics.The latter is an active parallel research area nowadays to spintronics and
会议
  电荷密度波(CDW)是低维材料中的重要结构物理现象,其电声耦合机制研究及其和超导态的关联是凝聚态物理的重要研究方向.1T-TaSe2为典型准二维的CDW材料,具有丰富的物理特
  碱金属和NH3分子共插层FeSe中超导电性的发现引起了人们对于该类材料的巨大研究兴趣,因为他们在具有体形态的铁基硫族超导体中有着最高的超导转变温度(Tc).利用低温氨热
  We utilize variational method to study the Kondo screening of an Anderson impurity in three-dimensional Dirac and Weyl semimetals.We find that the spin corr
会议
  We investigate the influence of itinerant carriers on dynamics and fluctuation of local moments in Fe-based superconductors,via linear spin-wave analysis of
  实现ZnO材料稳定和可重复的p型掺杂是其能够在光电器件,诸如LED、激光及自旋电子器件等,中广泛应用的壁垒之一.N原子因与O原子大小相近,被视为ZnO的p型掺杂剂候选之一.但
  ZnSe晶体是典型的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体,室温下的禁带宽度为2.7eV.随着非线性四波混频、Z 扫描、泵浦-探测等实验表征技术的出现和成熟,ZnSe 的导带和价带电子特性
  稀磁半导体作为一种可能兼具电子的电荷和自旋自由度的材料,长期以来受到了人们的广泛关注[1,2]。具有122型ThCr2Si2结构的(Ba1-xKx)(Zn1-yMny)2As2实现了载流子和自旋掺