高分子是一种用于硅晶片表面功能化修饰与改性的良好材料。利用高分子化学的键合手段,可以保持硅晶片基体与修饰分子之间的良好接触与稳定结合。表面接枝方法是基体表面功能化修饰的一种有效的改性方法。通过表面接枝法在基底表面形成功能性聚合物层,为硅晶片表面修饰开辟出了更加广阔的应用前景。论文首先采用功能性硅烷偶联剂KH570对硅晶片进行修饰,得到初步修饰的硅晶片Si-KH570。通过自由基聚合法在硅晶片Si-KH570表面接枝丙烯酰胺（AM）,制备得到具有一定亲水性能的硅晶片;为进一步改善硅晶片亲水性能,通过自由基聚合法在硅晶片Si-KH570表面接枝了具有良好亲水功能单体的甲基丙烯酰乙基磺基甜菜碱（SBMA）;利用含有疏水功能基团的甲基丙烯酸三氟乙酯（TFEMA）单体对硅晶片表面进行改性,得到具有疏水性能的硅晶片。对改性前后样品表面的化学结构、元素组成、粗糙度和润湿性进行了详细的探究。并详细研究了不同反应单体浓度对硅晶片表面润湿性以及接枝率的影响。研究发现:当AM浓度为3.5wt%时,接枝率达到最大值0.61%,改性后硅晶片的表面粗糙度Ra由1.15 nm增至5.04 nm,接触角由70.32°降低至19.3°,亲水性能得到了有效改善。当SBMA浓度为2.5wt%时,接枝率达到最大值0.6%,改性后硅晶片的表面粗糙度Ra由0.338 nm增至11 nm,接触角由70.32°降低至8.89°,相比于AM改性的硅晶片,SBMA改性的硅晶片具有更优异的亲水性能。当TFEMA浓度为3wt%时,接枝率达到最大值0.52%,改性后硅晶片的表面粗糙度Ra由1.15 nm增至1.66 nm,接触角由70.32°提高至102.9°,硅晶片表面由亲水性向疏水性转化。