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氢化非晶硅具有很强的光电导和较大的光吸收系数,不但可以通过掺杂改变其导电类型,而且可通过改变沉积工艺条件连续的调整材料的光电性质,它作为一种优秀的半导体材料在军事和民用领域都得到了广泛应用。但是由于传统的非晶硅材料中悬挂键的存在会劣化材料的稳定性,从而影响非晶硅薄膜器件的性能。目前大部分研究主要集中在工艺条件对氢化非晶硅薄膜结构和性质的影响,通过计算机模拟仿真的研究较少。本文以实验为基础,基于第一性原理建立了a-Si:H模型,并对其结构和红外特性的仿真结果与实验结果进行了对比分析。本文首先建立了2×