论文部分内容阅读
黄瓜（Cucumis sativus L.）属于冷敏感植物,嫁接能够缓解低温造成的伤害,但是不同的砧木嫁接黄瓜的抗冷性不同。硅能够增强植物对低温胁迫的抗性,嫁接黄瓜去果面蜡粉能力不同的砧木硅吸收能力存在差异。然而,硅和砧木与嫁接黄瓜抗冷性的关系缺乏深入研究。为此,本试验选用吸硅能力较弱的‘黄诚根2号’和吸硅能力较强的‘云南黑籽南瓜’为砧木嫁接‘新泰密刺’黄瓜,并分别进行加硅（1.7 mmol/L）和不加硅处理,研究了外源硅和不同类型砧木对低温胁迫下黄瓜幼苗生长、渗透调节、抗氧化系统、光合作用、内源激素和硅代谢的影响。主要结果如下:1.低温胁迫4 d后,不加硅和加硅处理的嫁接和自根黄瓜的鲜重、干重、株高、茎粗、叶片厚度、栅栏组织厚度、海绵组织厚度均增加,但加硅处理的嫁接和自根黄瓜的生长量和结构参数均优于不加硅处理;嫁接黄瓜的生长量和叶片结构参数均优于自根黄瓜,但在两种硅处理下差异不显著,其中‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜抗冷性最强。2.随着低温胁迫时间延长,不加硅和加硅处理的嫁接黄瓜和自根黄瓜幼苗叶片的电解质渗漏率（EL）、渗透调节物质含量均持续升高,加硅处理黄瓜的EL低于不加硅处理,渗透调节物质含量高于不加硅处理,其中‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜变化较大;嫁接黄瓜的EL低于自根黄瓜,渗透调节物质含量高于自根黄瓜,且在加硅条件下变化较显著,其中‘云南黑籽南瓜’增强黄瓜抗冷性作用较大。3.低温胁迫后,不加硅和加硅处理的嫁接和自根黄瓜幼苗叶片的丙二醛（MDA）含量均逐渐升高,超氧化物歧化酶（SOD）、过氧化氢酶（CAT）活性均先升高后降低,过氧化物酶（POD）活性持续上升,加硅处理的MDA含量低于不加硅处理,抗氧化酶活性高于不加硅处理,其中‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜变化最明显;嫁接黄瓜的MDA含量显著低于自根黄瓜,抗氧化酶活性明显高于自根黄瓜,且在加硅条件下更显著,其中‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜抗冷性最强。4.低温胁迫后,不加硅和加硅处理的嫁接和自根黄瓜幼苗叶片的叶绿素含量、光合速率（Pn）、气孔导度（Gs）、蒸腾速率（Tr）、暗下PSⅡ实际光化学效率（Fv/Fm）、光下PSⅡ实际光化学效率（ΦPSⅡ）、光化学猝灭系数（qP）均逐渐降低,而胞间CO2浓度（Ci）先降低后升高,非光化学猝灭系数（NPQ）逐渐升高,加硅处理后黄瓜的光合作用强于不加硅处理,且‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜变化较大;嫁接黄瓜的光合作用强于自根黄瓜,其中‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜表现最强。5.低温胁迫后,不加硅和加硅处理的嫁接和自根黄瓜叶片中脱落酸（ABA）和赤霉素（GA3）含量均先升高后降低,加硅处理的ABA含量高于不加硅处理,GA3含量降低于不加硅处理,其中‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜变化较大。与自根黄瓜相比,嫁接黄瓜的ABA含量增加,GA3含量降低,其中‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜抗冷性最强。6.低温胁迫后,不加硅和加硅处理的嫁接和自根黄瓜叶片硅含量、加硅处理的茎和根系中硅含量均先升高后降低,而不加硅处理的茎和根系中硅含量逐渐降低,CSiT-1、CSiT-2、CmLsi1、CmLsi2-1和CmLsi3基因表达量先升高后降低,CmLsi2-2基因表达量逐渐升高;低温胁迫前后,不同器官硅含量均表现为叶片>根系>茎,加硅处理显著提高了嫁接和自根黄瓜叶片、茎、根系中硅的含量,抑制硅转运蛋白基因表达;与自根黄瓜相比,低温胁迫前后,‘云南黑籽南瓜’促进黄瓜硅的吸收,‘黄诚根2号’则为抑制。