近年来,纳米材料因为其独特的磁学、催化、光学、电学、机械和生物学的特性而受到人们的普遍关注,而且纳米材料在生产生活中都有广泛的应用。其中,二维材料是电子仅仅可以在两个维度上自由运动的纳米材料,例如超晶格、纳米薄膜、量子阱等。而二硫化钼是一种在光电子器件和纳米电子学中具有广阔的应用前景的二维材料。由于开发半导体器件的需求不断增长,二维材料的应变工程最近引起了人们的兴趣,对于各种各样的二硫化钼器件来说,使用不同的衬底都会导致二硫化钼受到的应变不同,从而影响器件性能。因此,研究生长基底对于二硫化钼器件的性能影响并分析两者间的内在联系具有十分重要的意义。通过研究这种应变,可以提高二硫化钼功能器件的性能。本文采用有限元方法模拟了在金、铜、氧化铝、二氧化硅和镍这5种不同的基底上生长的层状二硫化钼应变分布。研究表明,基底材料的泊松比和杨氏模量这两个参数会影响二硫化钼顶部的形变现象以及二硫化钼顶部和基底底部之间的应变差。二硫化钼在应变过程当中,Y方向的底部拉伸应变大于中间方向的拉伸应变,导致材料底部和顶部的应变高于中间方向的应变。因此,基底材料泊松比和杨氏模量与二硫化钼应变分布有着密切的关系。根据模拟结果,由于二硫化钼在二氧化硅和金基底上受到应变较小,所以二硫化钼的基底底部和顶部的应变差会比较大,容易产生脱剥离落。在氧化铝的基底上,由于基底的杨氏模量较高,且与二硫化钼的杨氏模量比较接近,二硫化钼基底底部和顶部的应变差会很接近。因此,在这些材料中,氧化铝是最适合于作为二硫化钼的基底材料。通过研究复合材料基底应变场的分布情况,可以更好地调节纳米材料的性质,提高和改善复合材料器件相关性能。