密度泛函理论(DFT)框架内的局域密度近似(LDA)作为第一性原理基态理论，即基于Kohn-Sham方程的解，是研究像半导体材料这类多粒子体系基态性质非常有力的工具，然而却不能较好地描述其在激发态下的性质。问题的关键在于描写基态和激发态时，粒子间的交换关联相互作用并不相同。不过，近年来关于激发态问题的研究，先后发展了许多描述电子激发态的理论，最重要的是基于准粒子概念和Green函数方程的多体微扰理论。其中最关键的物理量是粒子的自能算符∑，它描述Hartree近似之外的交换和关联效应。虽然这些理论不可避免地引入某些近似，如对于∑的一个好的近似就是Hedin的GW近似方法。但是对许多实际凝聚态体系的计算机模拟结果表明，GW近似是描述激发态问题相当成功的理论方法。 众所周知，IIA-VIB族化合物作为一类光电子材料，以其优异的光电子特性已成为光电子技术领域里越来越得到关注的材料，因此对其相关性质的研究也显得尤为重要。迄今为止，人们已经对由Be、Mg、Ca和Sr与Ⅵ族元素组成的化合物作了很多系统的分析与研究，在第一性原理和GW近似下的计算已有系统的报道，但是对Ba的Ⅵ族化合物的相关研究文章较少，而且只有密度泛函下的局域密度近似(DFT-LDA)的计算研究。其存在的主要问题是：现有的局域密度近似计算所得到的带隙数值(～2eV)不仅与实验结果(～3.6eV)相差太大，而且不同研究组的理论带隙(直接或间接)特性结果也不一致。更重要的是，1994年Kalpana等人给出了B1结构下BaX(X=S，Se，Te)的间接带隙特性且被长期引用。而最近GQLin等为了揭示Ba与负离子间的化学键性质，研究了B1(NaCl)结构下的BaX(X=S，Se，Te)以及加氧的三元化合物的电子结构，发现它们是一组直接带隙半导体。为了解决这些问题，本文运用标准的准粒子GW近似方法重新研究了BaS、BaSe和BaTe在B1结构下的准粒子能带结构。 本文在考虑Ba的价电子组态中4d电子的情况下，运用Paratec(PARAllelTotalEnergycode)软件计算BaX(X=S，Se，Te)在局域密度近似(LDA)下的能带结构，然后在此基础上作自能近似计算出其准粒子的能带结构，为便于比较，同时计算了广义梯度近似(GGA)下的能带。结果表明：(1)与已有的计算结果不同，B1结构的BaX(X=S，Se，Te)准粒子能带具有Г点直接带隙特性。(2)LDA和GGA方法都不能准确描述这类材料的带隙，而GW准粒子能带的结果则可以对其带隙作出大幅度的修正，而且在修正前后它属于不同波段的光电子材料。同时得到的带隙与实验测量值有相当符合的理论结果，充分反映了材料的激发态性质。以上皆表明在Ba价电子组态中考虑4d电子的作用至关重要，同时也澄清了文献中有争议的问题。这一发现对以后研究由Ba这样的重金属原子构成的化合物性质具有一定的指导意义。