石墨烯的发现,宛若一颗耀目的新星,让人们得以探索一个更宽广的世界:二维（2D）层状材料。迄今为止的研究发现,这些二维材料展现出优异的物理化学性能,如:高光学透明度、高载流子迁移率以及优秀的导电性能。近年来,在对2D材料性能的众多调控手段中,构建异质结——由不同的二维材料堆垛而成,备受青睐。本文基于密度泛函理论,利用VASP程序包对相应材料进行第一性原理计算,系统研究了硒化铟基（InSe）异质结的电子结构、光学特性。主要包括:PtSe2/InSe、SnSe2/InSe、tellurene/InSe异质结。本文的主要内容和计算结果如下:（1）对于二维PtSe2/InSe异质结:计算结果证明得,三种不同的堆垛方式下,异质结的稳定性良好;他们都呈现出I型能带排列;并且层间耦合作用能有效调控这三种不同堆垛方式下的异质结的结合能、带隙值（0.560 e V到1.037 e V不等）。此外,三种异质结的光学特性均明显优于本征单层材料的,其光吸收系数高达106cm-1,并且可以宽光谱吸收近红外至紫外区域的光。（2）对于二维SnSe2/InSe异质结:计算结果证明得,对于能量最稳定的堆垛方式下的异质结,表现出轨道杂化作用较明显的II型能带排列。此外,通过计算光吸收系数,发现相比于本征单层材料,该异质结的光学特性明显增强:不仅可以宽光谱吸收近红外至可见光区域的光,而且光吸收系数高达1.2×106cm-1。（3）对于二维tellurene/InSe异质结:计算结果证明得,异质结在满足良好稳定性的情况下,呈现出轨道杂化作用较强的I型能带排列。此外,两本征单层材料优异的光学性能在该异质结中得到很好的保留与整合:可以宽光谱吸收近红外至紫外区域的光,同时光吸收系数高达0.8×105cm-1。