近年来,由于集成工艺水平的提高,电路设计技术的不断改进,模拟集成电路的设计得到较大的发展,同时对电路的性能提出新的挑战。目前随着便携式电子系统的普遍应用,对模拟集成电路的各方面性能也有了更高的要求。基准电压源广泛应用于各种模拟集成电路、数字混合信号集成电路和系统集成芯片中,是集成电路中一个重要的单元模块,也是各种传感器,数模模数转换器电路中的基本元件。它的温度稳定性和电源电压拟制比是影响整个系统精度和性能的关键性因素。基于基准电压源的重要性,论文基于SMIC 0.18μm1.8V CMOS工艺,研究并设计实现了一种抗工艺涨落的高性能基准电压源电路。论文首先简介了电压基准源设计的基础,包括基准电压源的性能指标、分类、基本原理、基本结构;着重分析了温度补偿、零温度系数的实现方法。经分析比较后,选择了传统结构的CMOS带隙基准电压源作为设计的基础,分析其基本原理,分别从高精度和低电源电压入手设计出带隙电压基准源的核心电路,针对前者,采用了一种高阶温度补偿方法——来进行补偿;针对后者,采用电流模结构的带隙基准电路,并采用电阻分压来降低运放的共模电压,进一步的来降低电源电压。论文还分析了影响电压基准源性能的因素并给出了解决方案,最后得出总体电路,采用Cadence Spectre进行仿真,运放的增益达到80dB,带隙的温度系数可达2ppm/℃,电源拟制比可达到-89.12dB,最低工作电压为1.0V。T lnT