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温度逆境是设施黄瓜生产时的一大障碍,虽然近年来对设施内的黄瓜在逆境下的研究有很多,但是就黄瓜结果期针对根系方面的研究还甚少,本试验就温度逆境下对设施内黄瓜结果期的根系进行了初步的研究,以期为设施内的黄瓜生产提供一些理论依据。试验选用黑籽南瓜为嫁接砧木,测定了嫁接黄瓜根系在温度胁迫下的反应。高温胁迫试验分为25～35℃,35～45℃,45～55℃三个处理。低温胁迫分为3～5℃、8～12℃、15～18℃三个处理。试验结果表明:1、高温胁迫对根系的影响:1.1高温处理后,在35～45℃处理下根系酶的活性最高,其次是25～35℃,最后是45～55℃处理。1.2高温处理后,根系在25～35℃下所受到的膜脂过氧化的作用小于35～45℃处理,35～45℃处理小于45～55℃处理。1.3高温处理后,在35～45℃处理中GSH的活性均要高于45～55℃处理下; 45～55℃处理的GSH活性小于25～35℃。1.4高温处理后,在处理的前28d 35～45℃处理下AsA含量大于25～35℃,25～35℃大于45～55℃处理。1.5高温处理后,与25～35℃相比35～45℃处理下根系中NR活性最高,而45～55℃处理低于对照。2、低温胁迫对根系的影响2.1低温处理后,嫁接黄瓜根系的酶活性高于自根黄瓜。2.2低温处理后,嫁接黄瓜根系细胞受到的膜脂过氧化的作用的伤害比自根黄瓜小。2.3低温处理后,嫁接黄瓜根系的AsA含量和GSH的活性高于自根黄瓜。2.4低温处理后,与高温一样嫁接黄瓜要比自根黄瓜的NR活性高。3、嫁接黄瓜要比自根黄瓜的根系具有更好抵抗温度逆境的能力。