近年来量子点材料因具有独特的光电子性质而受到了广泛的关注和研究,In Ga As量子点更是因其优良的光学性能而被应用于半导体激光器、太阳能电池、发光二极管等光电子器件的制备。In Ga As量子点主要采用分子束外延技术制备,其光学性质主要由密度、尺寸、分布、形状等因素决定。量子点的密度、尺寸、形状可以通过调控量子点生长过程中衬底温度、沉积速率、沉积量、退火时间、砷压等实验条件进行控制,量子点的位点控制则主要通过多周期生长以及图形化衬底实现。本文使用湿法刻蚀法制备Ga As（001）图形化衬底,并在其表面分别采用液滴外延法以及S-K模式制备In Ga As量子点,研究了衬底温度、沉积速率、退火时间、图形化衬底等实验条件对量子点密度、尺寸及空间分布的影响。（1）本论文首先采用湿法刻蚀法制备图形化衬底,在刻蚀过程中,研究了匀胶机转速、曝光强度、刻蚀溶液配方、刻蚀时间对刻蚀效果的影响,并提出了一种对Ga As（001）衬底刻蚀效果较好的实验方案。发现匀胶机转速为4500 r/min时匀胶效果最好,曝光强度为88mj/cm~2可以将预制的图案较好的转移到衬底表面,将浓硫酸、双氧水以及去离子水以1:2:20进行配比可以得到对Ga As衬底刻蚀效果良好的刻蚀溶液,当刻蚀时间为15 s可得到沟道深度为100nm左右的图形化衬底。（2）使用液滴外延法在Ga As（001）平面衬底表面制备了In As/Ga As量子点,在实验过程中改变衬底温度以及沉积速率并观察量子点的密度及尺寸变化。发现随着温度的增加,量子点的密度减小,直径及高度增大;随着沉积速率的增加,量子点的密度增大,直径及高度减小。结合实验结果以及成核理论详细分析探讨了铟原子在Ga As（001）表面的成核过程,通过热力学分析解释了实验现象,并建立了铟原子成核密度与衬底温度及沉积速率的之间的数学关系模型。（3）在图形化衬底表面分别使用液滴外延法以及S-K模式制备In Ga As量子点,探究了衬底温度、沉积速率、退火时间等实验条件对In Ga As量子点的影响。相较于平面衬底,金属原子在图形化衬底表面的成核密度较小,且容易在平台边缘形成量子点,量子点尺寸较大,该现象是由平台边缘密度较大的台阶以及扭折所造成。实验结果表明随着衬底温度的增加、沉积速率的减小以及退火时间的增加,使用液滴外延法制备的In Ga As量子点密度不断减小,量子点尺寸不断增大,而且量子点趋向于由沟道向平台扩散。此外,使用S-K模式在图形化衬底表面制备多周期量子点,发现图形化衬底表面量子点密度显著增大,而且虽然在平台边缘的量子点较大,但量子点分布较为均匀,说明多周期生长能有效减弱图形化衬底对量子点分布的限制作用。