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目的:本课题通过检测42℃,1h的热休克处理后V79细胞中热休克蛋白70(诱导型)的表达情况;观察热休克预处理对γ射线照射后V79细胞存活率的影响;以及热休克预处理对γ射线照射引起的V79细胞周期阻滞的影响,研究热休克蛋白70过表达对V79细胞电离辐射损伤的保护作用,并从细胞周期的角度探讨其保护作用的机制。方法:包括三个部分:(1)对V79细胞进行42℃,1h的热休克处理,37℃中恢复不同时间后,采用western blot法检测热休克处理后恢复不同时间的细胞中热休克蛋白70的表达情况。(2)对V79细胞进行42℃,1h的热休克预处理,37℃中恢复一定时间后给予不同剂量的60Coγ射线照射,克隆形成法比较热休克处理组和未做热休克处理的对照组细胞照射后存活率的不同。(3)对V79细胞进行42℃,1h的热休克预处理,37℃中恢复一定时间后给予一定剂量的60Coγ射线照射,采用流式细胞术观察热休克预处理对γ射线照射引起的V79细胞周期阻滞的影响。结果:1、Western blot显示V79细胞经42℃,1h的热休克处理,37℃中恢复1h后,热休克蛋白70(诱导型)即有明显增加,4—10h达到高峰,可持续至24h,未做热休克处理的对照组未检测到热休克蛋白70(诱导型)的表达。2、1)照射剂量为0Gy,6Gy,8Gy时,热休克预处理组和未做热休克预处理的对照组细胞存活率无显著差别;2)照射剂量为2Gy,4Gy时,热休克处理后恢复10h组细胞的存活率明显高于未做热休克处理的对照组,而恢复4h组与未做热休克处理的对照组相比细胞存活率无显著差别。3、经4Gyγ射线照射的V79细胞相比未经照射的对照组G2/M期细胞比例明显增加,而热休克处理组相比未作热休克处理的对照组γ射线照射后G2/M期细胞比例无显著差别。结论:1、42℃,1h的热休克处理可以有效诱导V79细胞热休克蛋白70过表达。热休克处理后恢复1h时,热休克蛋白70即有明显增加,4—10h达到高峰,可持续至24h。2、1)42℃,1h的热休克处理不会对V79细胞造成损伤;2)热休克处理后恢复10h,照射剂量小于6Gy时,热休克预处理可以提高V79细胞电离辐射后的存活率;热休克预处理后恢复4h不能提高V79细胞电离辐射后的存活率。提示:热休克蛋白70过表达可以对V79细胞电离辐射损伤起到一定的保护作用。3、电离辐射引起V79细胞G2期阻滞,42℃,1h的热休克预处理对电离辐射引起的G2期阻滞无影响,提示热休克预处理引起的热休克蛋白70过表达对电离辐射引起的周期阻滞无影响。