行波管是一种重要的微波功放器件，具有功率大、增益高、频带宽和寿命长等特点，有着半导体器件无可比拟的优越性，广泛应用于卫星通讯、雷达等重点工程。耦合腔行波管是大功率行波管中重要的一类。由于耦合腔行波管结构特点，很容易产生振荡，从而破坏行波管的工作稳定性，因此，研究用于抑制各种振荡的微波衰减材料意义重大。　　 本文综述了微波衰减材料的种类及研究现状，制定了热压制备AlN基复相材料的工艺路线。通过XRD和SEM对材料的物相和显微结构进行表征。对合成的AlN-FiC、AlN-TiB2和.AlN-SiC三个复相材料体系，系统地研究了组分和工艺参数对烧结性能、显微结构、导热性能和微波衰减性能的影响规律。　　 在AlN-TiC复相材料体系中，以Y2O3作烧结助剂，采用热压烧结工艺、氮气气氛下制备了一系列不同TiC含量的复相材料。结果表明，在氮气气氛、30MPa压力、1900℃、保温1h的工艺条件下，复相材料由AlN和TiC两主晶相构成，相对密度在99％以上，达到了很高的致密性。当不加衰减剂TiC时，材料几乎没有衰减性能；当TiC含量低于10wt％时，材料呈现选频衰减且衰减量非常的小；当TiC含量在25wt％～50wt％之间时，材料呈现良好的多点选频衰减，且随着TiC含量的增加，材料的衰减量增加，中心谐振频率向高频方向移动，最大达-18dB。随着TiC含量的增加，AlN-TiC复相材料的热导率下降，当TiC含量增至50、wt％时，热导率只有46.6W·m-1·K-1。另外，当TiC含量10wt％时，烧结温度为1800℃～1950℃，随着烧结温度的升高，热导率呈逐渐上升的趋势，热导率从59.8W.m-1·K-1增加到83.6W·m-1·K-1。这说明TiC含量和烧结温度是影响AlN-TiC复相材料热导率的重要因素。　　 在AlN-TiB2复相材料体系中，以Y2O3作烧结助剂，采用热压烧结工艺、氩气气氛下制备了一系列不同TiB2含量的复相材料。结果表明：在氩气气氛、30MPa压力、1900℃、保温1h的工艺条件下，复相材料由主晶相AlN和TiB2，次晶相BN和TiN四相构成。除了物相组成之外，AlN-TiB2复相材料体系与.AlN-TiC复相材料体系在烧结性能、微波衰减性能以及导热性能方面规律基本相同。　　 在AlN-SiC复相材料体系中，以TiO2和Y2O3作烧结助剂，采用热压烧结工艺、氮气氛下制备了一系列不同SiC含量的复相材料。当SiC的含量在0～70wt％之间时，复相材料都可以达到很高的致密性，相对密度达到了99％以上；当SiC的含量达到了70wt％以上，SiC的加入将会阻碍复相材料的烧结，且随着SiC含量的增加，这种阻碍作用将会越来越明显。AlN-SiC复相材料在热压烧结的过程中新生成了两相Y3Al5O12和TiC，复相材料由主晶相AlN和SiC、次晶相Y3Al5O12和TiC构成。当衰减剂SiC含量小于40wt％时，复相材料的频谱特性表现为选频衰减且衰减量比较小；当衰减剂SiC含量在40～70wt％时，复相材料的频谱特性表现为宽频衰减，且随着SiC含量的增加衰减量也逐渐增加，最大衰减量达到了-2.3dB左右；当衰减剂SiC含量大于70wt％时，复相材料的频谱特性表现仍为宽频衰减，但随着SiC含量的增加衰减量没有明显的变化。当SiC含量在20～75wt％时，随着SiC含量的增加，复相材料的热导率也逐渐增加，SiC含量75wt％时热导率达到了88.9W·m-1·K-1；进一步增加SiC的含量，复相材料的热导率逐渐下降，当SiC含量80wt％时，热导率降到了42.7W·m-1·K-1。另外，当SiC含量20wt％时，烧结温度为1800℃～1950℃，随着烧结温度的升高，热导率呈逐渐上升的趋势，从42.2W·m-1·K-1增加到68.4W·m-1·K-1。这说明SiC含量和烧结温度是影响AlN-SiC复相材料热导率的重要因素。添加剂TiO2或TiC含量对高含量SiC复相材料的烧结性能会产生较明显的影响，随着TiO2或TiC含量的增加对复相材料的烧结起到促进作用，当TiO2含量大于8wt％或TiC含量大于6wt％时将无促进作用；但TiO2或TiC含量对复相材料的衰减性能没有什么影响。