微纳米材料表现出许多传统材料所不具备的新特性,随着科学技术的不断进步,纳米技术已然成为了最热门的研究领域之一。集成度的提高依赖于微纳米器件的尺寸的进一步缩小,微纳米加工技术的提高是器件尺寸缩小的基础。微纳米加工技术主要可以归为三类:平面工艺、探针工艺以及模型工艺。平面工艺是指利用光刻将图形转移到光刻胶并采用刻蚀或者沉积技术等将图形转移到基片表面形成结构复杂的微纳米器件,主要工艺包括光刻、刻蚀、薄膜沉积等。探针工艺是不仅可以指采用传统探针(扫描电镜探针、原子力显微镜探针)在基片表面加工出微纳米结构,还包括采用聚焦离子束、激光束等在基片表面剥离形成微纳结构。模型工艺是指使用微纳米量级的模具复制出相应的纳米结构,例如纳米压印。本论文围绕着平面工艺,探究了 KOH腐蚀形成硅探针针尖过程并采用湿法腐蚀工艺制备Si02微盘腔,使用光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀制备八台阶红外焦平面微透镜阵列,主要内容和成果如下:1.研究了 KOH溶液对硅的各向异性腐蚀形成凸台面和针尖的物理过程,通过俯视SEM和断面SEM推断出针尖的形成过程。测量得到了腐蚀晶面与(001)面形成的八边形内角和晶面的倾角,经过与理论值比较,表明实验中腐蚀的晶面是{311}晶面族。在本论文实验条件下,测量计算出{311}面的腐蚀速率约为0.6μm/min。进一步腐蚀得到由{311}晶面族形成的硅针尖,纵横比约为1.7:1,硅针尖曲率半径约为50 nm。本研究确定了腐蚀晶面为{311}晶面族,并澄清了一些文献中的错误结果。2.研究了 KOH腐蚀制备Si02微盘腔工艺,采用SEM表征微盘腔的形貌特性,微盘腔边缘呈楔形,有利于Q值的提高。通过光纤锥与微盘腔耦合进行测试,得到了微盘腔的透射谱,计算得到了微盘腔的Q值约为1×104,自由频谱范围(FSR)为9.6 nm。利用AFM表征微盘腔上表面,所得RMS仅为0.469 nm。3.研制了硅八台阶微透镜阵列,其制作难点在于套刻和ICP,通过采用对版标记差异化设计及选择性去除对版标记上的光刻胶提高了光刻的套刻精度。并优化了 ICP刻蚀条件与时间,减小了 ICP刻蚀出的台阶的高度误差。在微透镜的背面减薄抛光把硅片的厚度减到100 μm,并采用双面光刻在背面制作圆孔金属铝光阑,通过自制的简易测试系统测量到微透镜的衍射效率约为86%。