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由金属有机化学汽相沉积(MOCVD)异质外延方法,成功获得晶体质量和光学质量优良的硅基ZnO宽带隙半导体薄膜(以下简称ZnO/Si);以GaN/Sapphire薄膜和ZnO粉末作比对样品,综合运用时间积分与时间分辨光致发光光谱、飞秒泵浦探测瞬态反射谱等超快激光光谱技术,在国内率先比较系统地研究了上述ZnO/Si薄膜室温光致发光特性和光激发载流子弛豫动力学特性及其与MOCVD生长工艺的关联性.