近几十年来,有机场效应晶体管（OFET）因其成本低、质量轻、可溶液加工等特点受到人们的广泛关注。目前,OFET已经用于低功耗驱动电路、电子纸、射频标签以及传感器领域。目前OFET迁移率仍然较低,因此,提高OFET性能对OFET的实际应用变得至关重要。本文主要研究了图形化衬底对OFET性能的影响。首先,探讨了图形化衬底制备过程中前烘,显影以及刻蚀的工艺参数。其次,研究了衬底温度对OFET性能的影响,在不同衬底温度下沉积并五苯薄膜,通过对OFET性能比较得到合适的衬底温度。然后,探讨了图形化衬底对并五苯薄膜及OFET性能的影响,采用底栅顶接触的结构,分别制备了凹槽尺寸为20μm、25μm以及平面衬底的OFET,讨论分析了 OFET性能的变化,并通过AFM形貌图发现在凹槽尺寸为20μm衬底上并五苯薄膜定向率最大达到19%,并且其迁移率高于平面衬底和凹槽尺寸25μm衬底上OFET的迁移率。而平面衬底上并五苯薄膜定向率最小只有10%,迁移率也最低。接着研究了源漏电流方向与凹槽（图形化衬底的图形）方向发生变化时对OFET性能的影响。通过分析发现,源漏电流方向平行于凹槽方向时OFET迁移率大于源漏电流方向垂直于凹槽方向时OFET迁移率,主要原因是源漏电流方向发生变化时载流子传输路径发生变化,所需要克服的晶界势垒也有所不同。最后,研究了HMDS修饰凹槽衬底对OFET性能的影响。分析发现,虽然凹槽衬底经过界面修饰后晶粒尺寸变大,但是修饰后薄膜定向率下降,导致修饰后OFET的迁移率低于修饰前的OFET迁移率。