HFCVD系统温度场和流场的仿真研究

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在热丝化学气相沉积(Hot Filament Chemical Vapor Deposition,简称HFCVD)金刚石膜的系统中,系统温度场和流场的分布直接决定着金刚石膜的形核密度和生长速率。本文对影响系统温度场和流场的相关工艺参数进行了系统的模拟计算,确定了生长大面积优质金刚石膜的工艺参数优化值,主要工作如下:1.选取氢气作为HFCVD系统中流场的主要研究对象,经计算该流场的雷诺数Re=979.3,马赫数Ma=0.05,最终确定流场的流态为层流、不可压缩流体的低速流动,为热-流
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