Te掺杂CMR镧锰氧化物材料的物性研究（块材及薄膜）

来源 :中国科学院物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liyon_88

【摘要】

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该论文系统地研究了新型庞磁电阻(colossal magnetoresistance,CMR)材料(包括块材及薄膜)——Te掺杂镧锰氧化物的电子结构、晶格结构及重要的电磁性质,如CMR效应、相分离现象

【作者】

：

谈国太

【机构】

：

中国科学院物理研究所

【出处】

：

中国科学院物理研究所

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

庞磁电阻 La-Te-Mn-O 电子掺杂相分离自旋玻璃态低场磁电阻薄膜脉冲激光沉积技术

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该论文系统地研究了新型庞磁电阻(colossal magnetoresistance,CMR)材料(包括块材及薄膜)——Te掺杂镧锰氧化物的电子结构、晶格结构及重要的电磁性质,如CMR效应、相分离现象、自旋玻璃态特性及低场磁电阻行为.电子型掺杂、很好的CMR效应、接近室温的相变温度和3﹪的室温低场磁电阻变化率等特性,表明这种新材料在磁电子器件应用方面具有很好的应用前景.

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