Ⅲ-Ⅴ族化合物具有禁带宽度范围大，载流子迁移率高，能带结构多为直接跃迁型，容易形成三元、四元混晶半导体等优势，在微波，空间，红外，成像，光电领域都得到了广泛应用。其中的GaSb是中红外光电子器件的主要材料。而肖特基型器件则是红外探测器的一种重要类型。所以GaSb基肖特基型器件的研究具有很大意义。　　本文研究了GaSb材料的表面处理，GaSb的表面钝化中腐蚀和硫化是两个同样重要的过程。描述了用溴化腐蚀替代酸化腐蚀可以降低GaSb钝化表面的表面态密度，提高表面均匀性，光致发光光谱和原子力显微镜测试证明了其良好的均匀性。　　本文利用表面处理好的Te掺杂n型GaSb上生长沉积了200nm厚的Au膜来制作Au/n-GaSb金属-半导体肖特基接触，并且在氮气气氛下进行了200℃-400℃的高温快速热退火，并通过Ⅰ-Ⅴ测试观察其肖特基整流特性。结果发现在合适的退火温度下，肖特基接触得到改善，增大了肖特基势垒高度，降低了理想因子和反向漏电流。