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本文采用磁控溅射方法制备了SmCo系列单层和多层磁性薄膜,并采用X射线能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射分析仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和扫描隧道显微镜(STM)等对薄膜的成分、结构、磁学性能和表面形貌进行了研究,研究发现:(1)溅射工艺参数对SmCo薄膜磁性能的影响明显。通过优化溅射工艺参数,得出了最佳溅射工艺条件:磁性层溅射功率为60W,溅射气压为0.5Pa,溅射时间为8min;底层溅射功率为125W,溅射气压为0.5Pa,溅射时间为4min。此时,SmCo磁性薄膜的面内矫顽力高达2.79×10~5A/m,所制备的SmCo薄膜为面内磁化膜。(2)底层对SmCo薄膜磁性能也有影响。通过制备不同底层的SmCo薄膜,我们发现以Cu作为底层制备的SmCo薄膜磁性能更好,薄膜矫顽力分别比用Cr、Ti作底层时高出56%,40%。同时发现,溅射Cu底层时基片加温至150℃的时候,SmCo薄膜磁化方向有从面内向垂直方向转变的趋势。所制备出SmCo/Cu垂直磁化薄膜的矫顽力高达4.86×10~5A/m;通过分析SmCo薄膜在不同温度下的表面形貌,发现150℃时薄膜的晶粒尺寸较小,薄膜的矫顽力有大幅度的提高。(3)Cr中间层对SmCo/TbFeCo多层膜磁交换耦合性能具有影响。研究发现,多层膜系统的磁性能随着Cr中间层厚度的变化而发生改变,尤其是薄膜的饱和磁化强度和矫顽力,显示出周期性振荡的特性。通过扫描隧道显微镜观察发现,有Cr中间层时SmCo薄膜的晶粒尺寸要比无Cr中间层时的SmCo薄膜要小得多。而且,我们还发现SmCo薄膜的平均晶粒尺寸随着Cr中间层厚度的增加而显示出减小的趋势。通过研究我们可以看出,薄膜矫顽力的变化主要是由于Cr中间层的加入改变了SmCo薄膜的微观结构,而饱和磁化强度的变化则是与薄膜的磁交换耦合作用有关。